RDN080N25FU6
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| Teilenummer | RDN080N25FU6 |
| PNEDA Teilenummer | RDN080N25FU6 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN |
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.536 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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RDN080N25FU6 Ressourcen
| Marke | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | RDN080N25FU6 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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RDN080N25FU6 Technische Daten
| Hersteller | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 543pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 35W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220FN |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller STMicroelectronics Serie DeepGATE™, STripFET™ VI FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 180A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 183nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11800pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket H2PAK-6 Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
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