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R6012025XXYA

R6012025XXYA

Nur als Referenz

Teilenummer R6012025XXYA
PNEDA Teilenummer R6012025XXYA
Beschreibung DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205
Hersteller Powerex Inc.
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Auf Lager 2.898
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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R6012025XXYA Ressourcen

Marke Powerex Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR6012025XXYA
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
R6012025XXYA, R6012025XXYA Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 706,04 KB)
PDFR6012625XXYA Datenblatt Cover
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R6012025XXYA Technische Daten

HerstellerPowerex Inc.
Serie-
DiodentypStandard, Reverse Polarity
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)2000V
Current - Average Rectified (Io)250A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.5V @ 800A
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)11µs
Strom - Umkehrleckage @ Vr50mA @ 2000V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallDO-205AB, DO-9, Stud
LieferantengerätepaketDO-205AB, DO-9
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-65°C ~ 175°C

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

700mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

530mV @ 500mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

3ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

16pF @ 30V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

150°C (Max)

1N4003GR0

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

1SS388(TL3,F,D)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

45V

Current - Average Rectified (Io)

100mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 50mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 10V

Kapazität @ Vr, F.

18pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-79, SOD-523

Lieferantengerätepaket

ESC

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 100°C

VS-VSKE320-16PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

1600V

Current - Average Rectified (Io)

320A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

-

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50mA @ 1600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

3-MAGN-A-PAK™

Lieferantengerätepaket

MAGN-A-PAK®

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

1N649-1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

400mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 400mA

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

50nA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AH, DO-35, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-35

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 175°C

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