R6002625XXYA
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| Teilenummer | R6002625XXYA |
| PNEDA Teilenummer | R6002625XXYA |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205 |
| Hersteller | Powerex Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.284 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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R6002625XXYA Ressourcen
| Marke | Powerex Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | R6002625XXYA |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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R6002625XXYA Technische Daten
| Hersteller | Powerex Inc. |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 2600V |
| Current - Average Rectified (Io) | 250A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 800A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 11µs |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 50mA @ 2600V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Chassis, Stud Mount |
| Paket / Fall | DO-205AB, DO-9, Stud |
| Lieferantengerätepaket | DO-205AB, DO-9 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 920mV @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 25ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. 10pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-220AA Lieferantengerätepaket DO-220AA (SMP) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 30V Current - Average Rectified (Io) 100A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 630mV @ 100A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 2.4mA @ 30V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall PowerTab® Lieferantengerätepaket PowerTab® Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 5A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.3V @ 5A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 30µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 110pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket PG-TO252-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie eSMP® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 1.1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 540mV @ 1.1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 10ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 20µA @ 40V Kapazität @ Vr, F. 65pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket DO-219AB (SMF) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 175°C (Max) |
Hersteller Power Integrations Serie Qspeed™ Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.96V @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 18.5ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket TO-263AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
