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PXAC261202FCV1R250XTMA1

PXAC261202FCV1R250XTMA1

Nur als Referenz

Teilenummer PXAC261202FCV1R250XTMA1
PNEDA Teilenummer PXAC261202FCV1R250XTMA1
Beschreibung FET RF 2CH 65V 2.61GHZ
Hersteller Infineon Technologies
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PXAC261202FCV1R250XTMA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPXAC261202FCV1R250XTMA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PXAC261202FCV1R250XTMA1, PXAC261202FCV1R250XTMA1 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 212,95 KB)
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PXAC261202FCV1R250XTMA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS (Dual), Common Source
Frequenz2.61GHz
Gewinn13.5dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)-
Rauschzahl-
Stromtest230mA
Leistung - Leistung28W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallH-37248-4
LieferantengerätepaketH-37248-4

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

26V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

60W

Spannung - Nennspannung

68V

Paket / Fall

TO-272BB

Lieferantengerätepaket

TO-272 WB-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

860MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

350mA

Leistung - Leistung

18W

Spannung - Nennspannung

115V

Paket / Fall

TO-272-4

Lieferantengerätepaket

TO-272-4

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual), Common Source

Frequenz

952.5MHz ~ 957.5MHz

Gewinn

20.8dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

224mA

Leistung - Leistung

2.5W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-1223-1

Lieferantengerätepaket

4-HSOPF

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.11GHz

Gewinn

16.4dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

750mA

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-1230S-4 GW

Lieferantengerätepaket

NI-1230S-4 GULL

VRF191

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

30MHz

Gewinn

22dB

Spannungstest

100V

Nennstrom (Ampere)

12A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

270V

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Lieferantengerätepaket

T11

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