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PTFA082201F V1

PTFA082201F V1

Nur als Referenz

Teilenummer PTFA082201F V1
PNEDA Teilenummer PTFA082201F-V1
Beschreibung IC FET RF LDMOS 220W H-37260-2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.166
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PTFA082201F V1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFA082201F V1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PTFA082201F V1, PTFA082201F V1 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 386,85 KB)
PDFPTFA082201FV4R250XTMA1 Datenblatt Cover
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PTFA082201F V1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz894MHz
Gewinn18dB
Spannungstest30V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest1.95A
Leistung - Leistung220W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
LieferantengerätepaketH-37260-2

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Gewinn

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Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

15A

Rauschzahl

-

Stromtest

150mA

Leistung - Leistung

300W

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

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Gewinn

18dB

Spannungstest

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Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

900mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

LDMOST

PTFB191501EV1R250XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.99GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

2-Flatpack, Fin Leads

Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

17.5dB

Spannungstest

30V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.3A

Leistung - Leistung

40W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

H-33288-6

Lieferantengerätepaket

H-33288-6

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

pHEMT FET

Frequenz

2GHz

Gewinn

17dB

Spannungstest

4.5V

Nennstrom (Ampere)

500mA

Rauschzahl

1.5dB

Stromtest

200mA

Leistung - Leistung

26.5dBm

Spannung - Nennspannung

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