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PTFA081501E V1

PTFA081501E V1

Nur als Referenz

Teilenummer PTFA081501E V1
PNEDA Teilenummer PTFA081501E-V1
Beschreibung FET RF 65V 900MHZ H-30248-2
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.762
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PTFA081501E V1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPTFA081501E V1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF

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PTFA081501E V1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieGOLDMOS®
TransistortypLDMOS
Frequenz900MHz
Gewinn18dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)10µA
Rauschzahl-
Stromtest950mA
Leistung - Leistung150W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / Fall2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
LieferantengerätepaketH-30248-2

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-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.3GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

800mA

Leistung - Leistung

28W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

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Frequenz

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Gewinn

16.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

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Stromtest

550mA

Leistung - Leistung

37W

Spannung - Nennspannung

65V

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NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.805GHz ~ 1.995GHz

Gewinn

18.9dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

10µA

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

257W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780-2S2L

Lieferantengerätepaket

NI-780-2S2L

2N5952_J35Z

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

N-Channel JFET

Frequenz

1kHz

Gewinn

-

Spannungstest

15V

Nennstrom (Ampere)

8mA

Rauschzahl

2dB

Stromtest

-

Leistung - Leistung

-

Spannung - Nennspannung

30V

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.81GHz ~ 1.88GHz

Gewinn

18dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.8A

Leistung - Leistung

55W

Spannung - Nennspannung

65V

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