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PSMN2R4-30MLDX

PSMN2R4-30MLDX

Nur als Referenz

Teilenummer PSMN2R4-30MLDX
PNEDA Teilenummer PSMN2R4-30MLDX
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
Hersteller Nexperia
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PSMN2R4-30MLDX Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPSMN2R4-30MLDX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PSMN2R4-30MLDX, PSMN2R4-30MLDX Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 718,74 KB)
PDFPSMN2R4-30MLDX Datenblatt Cover
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PSMN2R4-30MLDX Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3264pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)91W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketLFPAK33
Paket / FallSOT-1210, 8-LFPAK33

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

192W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

150V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A (Ta), 16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

51mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

905pF @ 75V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.3W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

8-PowerWDFN

IRL5602L

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

24A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1460pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

FDmesh™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

160W (Tc)

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

570nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

17550pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

960W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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