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PS2562L-1-F3-A

PS2562L-1-F3-A

Nur als Referenz

Teilenummer PS2562L-1-F3-A
PNEDA Teilenummer PS2562L-1-F3-A
Beschreibung OPTOISOLATOR 5KV DARL 4SMD
Hersteller Renesas Electronics America
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PS2562L-1-F3-A Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPS2562L-1-F3-A
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
PS2562L-1-F3-A, PS2562L-1-F3-A Datenblatt (Total Pages: 18, Größe: 274,34 KB)
PDFPS2562L1-1-K-A Datenblatt Cover
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PS2562L-1-F3-A Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
SerieNEPOC
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)200% @ 1mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)-
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)100µs, 100µs
EingabetypDC
AusgabetypDarlington
Spannung - Ausgang (max.)40V
Strom - Ausgang / Kanal200mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.17V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)80mA
Vce-Sättigung (max.)1V
Betriebstemperatur-55°C ~ 100°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Gull Wing
Lieferantengerätepaket4-SMD

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

7500Vpk

Stromübertragungsverhältnis (min)

10% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 2µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

500mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

6-SMD

EL817(S1)(A)(TB)-G

Everlight Electronics Co Ltd

Hersteller

Everlight Electronics Co Ltd

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

80% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

160% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

6µs, 8µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 110°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

4-SMD

4N26VM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

4170Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 2µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

500mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

TLP293(GB-TPL,E

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

100% @ 5mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

600% @ 5mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

3µs, 3µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 3µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

80V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

300mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SOIC (0.179", 4.55mm Width)

Lieferantengerätepaket

4-SO

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Lite-On Inc.

Hersteller

Lite-On Inc.

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

40% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

320% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2µs, 2µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

70V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.4V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

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