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PS2561F-1Y-K-A

PS2561F-1Y-K-A

Nur als Referenz

Teilenummer PS2561F-1Y-K-A
PNEDA Teilenummer PS2561F-1Y-K-A
Beschreibung OPTOISOLATOR 5KV TRANS 4DIP
Hersteller Renesas Electronics America
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Auf Lager 2.376
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PS2561F-1Y-K-A Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPS2561F-1Y-K-A
KategorieHalbleiterIsolatorenOptoisolatoren - Transistor, Photovoltaik-Ausgang
Datenblatt
PS2561F-1Y-K-A, PS2561F-1Y-K-A Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 243,59 KB)
PDFPS2561FL-1Y-F3-K-A Datenblatt Cover
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PS2561F-1Y-K-A Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
Anzahl der Kanäle1
Spannungsisolation5000Vrms
Stromübertragungsverhältnis (min)300% @ 5mA
Stromübertragungsverhältnis (max.)600% @ 5mA
Ein- / Ausschaltzeit (Typ)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)5µs, 7µs
EingabetypDC
AusgabetypTransistor
Spannung - Ausgang (max.)80V
Strom - Ausgang / Kanal50mA
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)1.2V
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)30mA
Vce-Sättigung (max.)300mV
Betriebstemperatur-55°C ~ 110°C
MontagetypThrough Hole
Paket / Fall4-DIP (0.300", 7.62mm)
Lieferantengerätepaket-

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IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

2

Spannungsisolation

3750Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

300% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

30000% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

8µs, 345µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

1mA

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

8-SMD

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Vishay Semiconductor Opto Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Opto Division

Serie

-

Anzahl der Kanäle

2

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

20% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 10mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

700ns, 1.4µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

1.9µs, 1.4µs

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor

Spannung - Ausgang (max.)

50V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.25V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

8-SMD

MOC119-M

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

300% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Darlington

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

150mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

-

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

60mA

Vce-Sättigung (max.)

1V

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

H11A1300

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5300Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

50% @ 10mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

-

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

2µs, 2µs

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

-

Eingabetyp

DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

30V

Strom - Ausgang / Kanal

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.18V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

100mA

Vce-Sättigung (max.)

400mV

Betriebstemperatur

-55°C ~ 100°C

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

6-DIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

6-DIP

PC733

Sharp Microelectronics

Hersteller

Sharp Microelectronics

Serie

-

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Stromübertragungsverhältnis (min)

15% @ 1mA

Stromübertragungsverhältnis (max.)

300% @ 1mA

Ein- / Ausschaltzeit (Typ)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

4µs, 3µs

Eingabetyp

AC, DC

Ausgabetyp

Transistor with Base

Spannung - Ausgang (max.)

35V

Strom - Ausgang / Kanal

50mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.2V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

50mA

Vce-Sättigung (max.)

200mV

Betriebstemperatur

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Through Hole

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