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PN2369A

PN2369A

Nur als Referenz

Teilenummer PN2369A
PNEDA Teilenummer PN2369A_6B
Beschreibung TRANS NPN 15V 0.2A TO92
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.182
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PN2369A Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPN2369A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt
PN2369A, PN2369A Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 749,91 KB)
PDFPN2369A_D75Z Datenblatt Cover
PN2369A_D75Z Datenblatt Seite 2 PN2369A_D75Z Datenblatt Seite 3 PN2369A_D75Z Datenblatt Seite 4 PN2369A_D75Z Datenblatt Seite 5 PN2369A_D75Z Datenblatt Seite 6 PN2369A_D75Z Datenblatt Seite 7 PN2369A_D75Z Datenblatt Seite 8 PN2369A_D75Z Datenblatt Seite 9 PN2369A_D75Z Datenblatt Seite 10 PN2369A_D75Z Datenblatt Seite 11

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PN2369A Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic500mV @ 10mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)400nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 10mA, 1V
Leistung - max350mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN - Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

100V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

750 @ 1.5A, 3V

Leistung - max

40W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-225AA, TO-126-3

Lieferantengerätepaket

TO-126-3

2N5401RLRMG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

150V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 5V

Leistung - max

625mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BC856AMTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

15nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 2mA, 5V

Leistung - max

310mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

MMBT2222AHLT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

TMBT3904,LM

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 1V

Leistung - max

320mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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