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PMN27UP,115

PMN27UP,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMN27UP,115
PNEDA Teilenummer PMN27UP-115
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 2.286
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PMN27UP Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMN27UP,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PMN27UP, PMN27UP Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 1.566,08 KB)
PDFPMN27UPH Datenblatt Cover
PMN27UPH Datenblatt Seite 2 PMN27UPH Datenblatt Seite 3 PMN27UPH Datenblatt Seite 4 PMN27UPH Datenblatt Seite 5 PMN27UPH Datenblatt Seite 6 PMN27UPH Datenblatt Seite 7 PMN27UPH Datenblatt Seite 8 PMN27UPH Datenblatt Seite 9 PMN27UPH Datenblatt Seite 10 PMN27UPH Datenblatt Seite 11

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PMN27UP Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31nC @ 4.5V
Vgs (Max)±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2340pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)540mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket6-TSOP
Paket / FallSC-74, SOT-457

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

NVMFS5C466NT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A (Ta), 49A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.1mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 37W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Paket / Fall

8-PowerTDFN, 5 Leads

FQP13N10L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12.8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

180mOhm @ 6.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

65W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

DMP4065S-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

587pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

720mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

DMP2104LP-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

3-DFN1411 (1.4x1.1)

Paket / Fall

3-XDFN

FQI9N50CTU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1030pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

135W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I2PAK (TO-262)

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Kürzlich verkauft

BAS40-04-7-F

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Diodes Incorporated

DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SOT23-3

HMC7044LP10BE

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ALT4532M-171-T001

ALT4532M-171-T001

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IRFP150N

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MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC

SMBJ5.0A-TR

SMBJ5.0A-TR

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TVS DIODE 5V 13.4V SMB