PMEG4010ESBZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | PMEG4010ESBZ |
| PNEDA Teilenummer | PMEG4010ESBZ |
| Beschreibung | DIODE SCHOTTKY 40V 1A DSN1006-2 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.840 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PMEG4010ESBZ Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PMEG4010ESBZ |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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PMEG4010ESBZ Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Diodentyp | Schottky |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 40V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 610mV @ 1A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2.9ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 40µA @ 40V |
| Kapazität @ Vr, F. | 22pF @ 10V, 1MHz |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 2-XDFN |
| Lieferantengerätepaket | DSN1006-2 |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | 150°C (Max) |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 50V Current - Average Rectified (Io) 3.7A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 420mV @ 4A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1.5mA @ 50V Kapazität @ Vr, F. 1060pF @ 4V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad Lieferantengerätepaket DO-221BC (SMPA) Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 400V Current - Average Rectified (Io) 60A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 60A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 37ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 250µA @ 400V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 175°C |
Hersteller GeneSiC Semiconductor Serie - Diodentyp Standard, Reverse Polarity Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1200V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 12A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 50V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AA, DO-4, Stud Lieferantengerätepaket DO-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 175°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 200V Current - Average Rectified (Io) 30A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.41V @ 30A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 160ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 200V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-2 Lieferantengerätepaket TO-247AC Modified Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
