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PMEG3020BEP,115

PMEG3020BEP,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMEG3020BEP,115
PNEDA Teilenummer PMEG3020BEP-115
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 30V 2A SOD128
Hersteller Nexperia
Stückpreis
1 ---------- $42,4014
100 ---------- $40,4138
250 ---------- $38,4263
500 ---------- $36,4387
750 ---------- $34,7824
1.000 ---------- $33,1261
Auf Lager 1.080
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PMEG3020BEP Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMEG3020BEP,115
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
PMEG3020BEP, PMEG3020BEP Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 229,45 KB)
PDFPMEG3020BEP Datenblatt Cover
PMEG3020BEP Datenblatt Seite 2 PMEG3020BEP Datenblatt Seite 3 PMEG3020BEP Datenblatt Seite 4 PMEG3020BEP Datenblatt Seite 5 PMEG3020BEP Datenblatt Seite 6 PMEG3020BEP Datenblatt Seite 7 PMEG3020BEP Datenblatt Seite 8 PMEG3020BEP Datenblatt Seite 9 PMEG3020BEP Datenblatt Seite 10 PMEG3020BEP Datenblatt Seite 11

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PMEG3020BEP Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
DiodentypSchottky
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)30V
Current - Average Rectified (Io)2A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If450mV @ 2A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)-
Strom - Umkehrleckage @ Vr100µA @ 30V
Kapazität @ Vr, F.340pF @ 1V, 1MHz
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOD-128
LieferantengerätepaketCFP5
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle150°C (Max)

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

40V

Current - Average Rectified (Io)

300mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

900mV @ 100mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

5ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 30V

Kapazität @ Vr, F.

10pF @ 1V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOD-323

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

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Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

2A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

700mV @ 2A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

400µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-219AB

Lieferantengerätepaket

Sub SMA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

CDLL5711/TR

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

33mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 15mA

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

200nA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

2pF @ 0V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-213AA

Lieferantengerätepaket

DO-213AA

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

MBR760

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

60V

Current - Average Rectified (Io)

7.5A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

750mV @ 7.5A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

500µA @ 60V

Kapazität @ Vr, F.

400pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

MUR4100GP-TP

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Hersteller

Micro Commercial Co

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

4A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.85V @ 4A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

75ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

50pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

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