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PMDPB42UN,115

PMDPB42UN,115

Nur als Referenz

Teilenummer PMDPB42UN,115
PNEDA Teilenummer PMDPB42UN-115
Beschreibung MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.128
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PMDPB42UN Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPMDPB42UN,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
PMDPB42UN, PMDPB42UN Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 1.067,35 KB)
PDFPMDPB42UN Datenblatt Cover
PMDPB42UN Datenblatt Seite 2 PMDPB42UN Datenblatt Seite 3 PMDPB42UN Datenblatt Seite 4 PMDPB42UN Datenblatt Seite 5 PMDPB42UN Datenblatt Seite 6 PMDPB42UN Datenblatt Seite 7 PMDPB42UN Datenblatt Seite 8 PMDPB42UN Datenblatt Seite 9 PMDPB42UN Datenblatt Seite 10 PMDPB42UN Datenblatt Seite 11

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PMDPB42UN Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds185pF @ 10V
Leistung - max510mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-UDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketDFN2020-6

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Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V

Leistung - max

380mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

DFN1010B-6

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1500A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

0.8mOhm @ 1200A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2480nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Y3-Li

Lieferantengerätepaket

Y3-Li

IPG20N06S3L-23

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2950pF @ 25V

Leistung - max

45W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PG-TDSON-8-4

SI4565ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A, 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

39mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

625pF @ 20V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

ECH8663R-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20.5mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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