Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PHK12NQ03LT,518

PHK12NQ03LT,518

Nur als Referenz

Teilenummer PHK12NQ03LT,518
PNEDA Teilenummer PHK12NQ03LT-518
Beschreibung MOSFET N-CH 30V 11.8A SOT96
Hersteller Nexperia
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.754
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 21 - Apr 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PHK12NQ03LT Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPHK12NQ03LT,518
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
PHK12NQ03LT, PHK12NQ03LT Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 206,61 KB)
PDFPHK12NQ03LT Datenblatt Cover
PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 2 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 3 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 4 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 5 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 6 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 7 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 8 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 9 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 10 PHK12NQ03LT Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • PHK12NQ03LT,518 Datasheet
  • where to find PHK12NQ03LT,518
  • Nexperia

  • Nexperia PHK12NQ03LT,518
  • PHK12NQ03LT,518 PDF Datasheet
  • PHK12NQ03LT,518 Stock

  • PHK12NQ03LT,518 Pinout
  • Datasheet PHK12NQ03LT,518
  • PHK12NQ03LT,518 Supplier

  • Nexperia Distributor
  • PHK12NQ03LT,518 Price
  • PHK12NQ03LT,518 Distributor

PHK12NQ03LT Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
SerieTrenchMOS™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs10.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.6nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1335pF @ 16V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)2.5W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI7459DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 22A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.9W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

IRF7809

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

17.6A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7300pF @ 16V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SO

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

TSM500P02CX RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

850pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.56W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

ZXM62P03E6TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 1.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.2nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

625mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-26

Paket / Fall

SOT-23-6

N0603N-S23-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

133nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7730pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Ta), 156W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-262

Paket / Fall

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Kürzlich verkauft

744314150

744314150

Wurth Electronics

FIXED IND 1.5UH 13A 4.3 MOHM SMD

FSA5157L6X

FSA5157L6X

ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT 6MICROPAK

LM2901M

LM2901M

ON Semiconductor

IC COMPARATOR QUAD 14-SOP

MMBTA42LT3G

MMBTA42LT3G

ON Semiconductor

TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23

UDZVTE-177.5B

UDZVTE-177.5B

Rohm Semiconductor

DIODE ZENER 7.5V 200MW UMD2

LCMXO640C-3TN144C

LCMXO640C-3TN144C

Lattice Semiconductor Corporation

IC FPGA 113 I/O 144TQFP

BLM18PG121SN1D

BLM18PG121SN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

FDS6680A

FDS6680A

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC

ADP191ACBZ-R7

ADP191ACBZ-R7

Analog Devices

IC CTLR HIGH LSIDE PWR SW 4WLCSP

PIC32MX340F512H-80I/PT

PIC32MX340F512H-80I/PT

Microchip Technology

IC MCU 32BIT 512KB FLASH 64TQFP

ADM3202ARU

ADM3202ARU

Analog Devices

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16TSSOP

MAX912ESE

MAX912ESE

Maxim Integrated

IC COMPARATOR TTL HS LP 16-SOIC