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PH3135-65M

PH3135-65M

Nur als Referenz

Teilenummer PH3135-65M
PNEDA Teilenummer PH3135-65M
Beschreibung RF TRANS NPN 65V
Hersteller M/A-Com Technology Solutions
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Auf Lager 8.046
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PH3135-65M Ressourcen

Marke M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPH3135-65M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
PH3135-65M, PH3135-65M Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 99,67 KB)
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PH3135-65M Technische Daten

HerstellerM/A-Com Technology Solutions
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8.23dB ~ 9.09dB
Leistung - max65W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)7.7A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.6dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

55GN01FA-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

4.5GHz ~ 5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

Gewinn

11dB ~ 19dB @ 1GHz ~ 400MHz

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-81

Lieferantengerätepaket

3-SSFP

AT-42070

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

10.5dB ~ 14dB

Leistung - max

600mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD (70 mil)

Lieferantengerätepaket

70 mil Package

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

3.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

34W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-445C

Lieferantengerätepaket

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