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PH3134-11S

PH3134-11S

Nur als Referenz

Teilenummer PH3134-11S
PNEDA Teilenummer PH3134-11S
Beschreibung RF TRANS NPN 60V
Hersteller M/A-Com Technology Solutions
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Auf Lager 4.806
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PH3134-11S Ressourcen

Marke M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPH3134-11S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
PH3134-11S, PH3134-11S Datenblatt (Total Pages: 2, Größe: 93,62 KB)
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PH3134-11S Datenblatt Seite 2

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PH3134-11S Technische Daten

HerstellerM/A-Com Technology Solutions
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8dB
Leistung - max11W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.3A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Gewinn

13.5dB ~ 15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9.5V

Frequenz - Übergang

900MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 300mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

205mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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