PEMH15,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | PEMH15,115 |
| PNEDA Teilenummer | PEMH15-115 |
| Beschreibung | TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SOT666 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 302.988 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 10 - Apr 15 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PEMH15 Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PEMH15,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt |
| Datenblatt |
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PEMH15 Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 4.7kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 4.7kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 10mA, 5V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-666 |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA, 1.5A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V, 60V Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 2.2kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 20mA, 5V / 140 @ 1A, 2V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1µA, 100nA Frequenz - Übergang 150MHz Leistung - max 760mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 47kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang 250MHz Leistung - max 150mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket EMT6 |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 300mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket Mini6-G4-B |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 10kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) 10kOhms Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Frequenz - Übergang 130MHz Leistung - max 250mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Widerstand - Basis (R1) 4.7kOhms Widerstand - Emitterbasis (R2) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500nA Frequenz - Übergang - Leistung - max 500mW Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-563 |
