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PDTA115ES,126

PDTA115ES,126

Nur als Referenz

Teilenummer PDTA115ES,126
PNEDA Teilenummer PDTA115ES-126
Beschreibung TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.436
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 26 - Mai 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PDTA115ES Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPDTA115ES,126
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt
Datenblatt
PDTA115ES, PDTA115ES Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 417,57 KB)
PDFPDTA115ES Datenblatt Cover
PDTA115ES Datenblatt Seite 2 PDTA115ES Datenblatt Seite 3 PDTA115ES Datenblatt Seite 4 PDTA115ES Datenblatt Seite 5 PDTA115ES Datenblatt Seite 6 PDTA115ES Datenblatt Seite 7 PDTA115ES Datenblatt Seite 8 PDTA115ES Datenblatt Seite 9 PDTA115ES Datenblatt Seite 10 PDTA115ES Datenblatt Seite 11

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PDTA115ES Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypPNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Widerstand - Basis (R1)100 kOhms
Widerstand - Emitterbasis (R2)100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 5mA, 5V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)1µA
Frequenz - Übergang-
Leistung - max500mW
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 300µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

150MHz

Leistung - max

150mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

SMini3-F2

DDTC143EKA-7-F

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 10mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

250MHz

Leistung - max

200mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59-3

DRC9114E0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

125mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3-B

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Widerstand - Basis (R1)

1 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

1 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 300mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.15V @ 8mA, 800mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA

Frequenz - Übergang

-

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3; MPAK

BCR 103F E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN - Pre-Biased

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms

Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 5V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 1mA, 20mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Frequenz - Übergang

140MHz

Leistung - max

250mW

Montagetyp

Surface Mount

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