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PD57006-E

PD57006-E

Nur als Referenz

Teilenummer PD57006-E
PNEDA Teilenummer PD57006-E
Beschreibung FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 2.646
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 28 - Dez 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PD57006-E Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPD57006-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - RF
Datenblatt
PD57006-E, PD57006-E Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 545,19 KB)
PDFPD57006TR-E Datenblatt Cover
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PD57006-E Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypLDMOS
Frequenz945MHz
Gewinn15dB
Spannungstest28V
Nennstrom (Ampere)1A
Rauschzahl-
Stromtest70mA
Leistung - Leistung6W
Spannung - Nennspannung65V
Paket / FallPowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
LieferantengerätepaketPowerSO-10RF (Formed Lead)

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

2.17GHz

Gewinn

18.5dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.4A

Leistung - Leistung

63W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

SOT-957A

Lieferantengerätepaket

NI-780H-2L

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

3.1GHz ~ 3.5GHz

Gewinn

11dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

600mA

Leistung - Leistung

115W

Spannung - Nennspannung

28V

Paket / Fall

SOT-1135B

Lieferantengerätepaket

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SD2931-12MR

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

N-Channel

Frequenz

175MHz

Gewinn

15dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

20A

Rauschzahl

-

Stromtest

250mA

Leistung - Leistung

150W

Spannung - Nennspannung

125V

Paket / Fall

M174MR

Lieferantengerätepaket

M174MR

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

880MHz

Gewinn

21dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

1.2A

Leistung - Leistung

35W

Spannung - Nennspannung

66V

Paket / Fall

NI-780S

Lieferantengerätepaket

NI-780S

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS (Dual)

Frequenz

2.03GHz

Gewinn

16dB

Spannungstest

28V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

400mA

Leistung - Leistung

20W

Spannung - Nennspannung

65V

Paket / Fall

NI-780S-4

Lieferantengerätepaket

NI-780S-4

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