PC28F640P30TF65A
Nur als Referenz
| Teilenummer | PC28F640P30TF65A |
| PNEDA Teilenummer | PC28F640P30TF65A |
| Beschreibung | IC FLASH 64M PARALLEL 64EASYBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 10.556 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PC28F640P30TF65A Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PC28F640P30TF65A |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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PC28F640P30TF65A Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | StrataFlash™ |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 64Mb (4M x 16) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 52MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 65ns |
| Zugriffszeit | 65ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 2V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 64-TBGA |
| Lieferantengerätepaket | 64-EasyBGA (8x10) |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 64Mb (4M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 14ns Zugriffszeit 5.4ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 54-TSOP II |
Hersteller IDT, Integrated Device Technology Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Synchronous, SDR (ZBT) Speichergröße 9Mb (512K x 18) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 8ns Spannung - Versorgung 3.135V ~ 3.465V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 119-BGA Lieferantengerätepaket 119-PBGA (14x22) |
Hersteller Everspin Technologies Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat RAM Technologie MRAM (Magnetoresistive RAM) Speichergröße 16Mb (2M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35ns Zugriffszeit 35ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 44-TSOP2 |
Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM Speichergröße 256Mb (8M x 32) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 133MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit 5.5ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket 86-TSOP II |
