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PC28F512P33BF0

PC28F512P33BF0

Nur als Referenz

Teilenummer PC28F512P33BF0
PNEDA Teilenummer PC28F512P33BF0
Beschreibung IC FLASH 512M PARALLEL 64EASYBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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Auf Lager 7.002
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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PC28F512P33BF0 Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPC28F512P33BF0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
PC28F512P33BF0, PC28F512P33BF0 Datenblatt (Total Pages: 92, Größe: 1.015,36 KB)
PDFPC28F256P33B2F TR Datenblatt Cover
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PC28F512P33BF0 Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
SerieAxcell™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz52MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite95ns
Zugriffszeit95ns
Spannung - Versorgung2.3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall64-TBGA
Lieferantengerätepaket64-EasyBGA (8x10)

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Hersteller

Microchip Technology

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

50µs

Zugriffszeit

55ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

256Mb (8M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

104MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Hersteller

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile

Speichergröße

256Mb (16M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

166MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

5.5ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

54-TFBGA (8x8)

R1LV1616RSA-7SI#B0

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Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM

Speichergröße

16Mb (2M x 8, 1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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48-TSOP I

70T3399S200BC

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

2Mb (128K x 18)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

3.4ns

Spannung - Versorgung

2.4V ~ 2.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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