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PC28F512G18AE

PC28F512G18AE

Nur als Referenz

Teilenummer PC28F512G18AE
PNEDA Teilenummer PC28F512G18AE
Beschreibung IC FLASH 512M PARALLEL 64EASYBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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Auf Lager 7.830
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jun 29 - Jul 4 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PC28F512G18AE Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPC28F512G18AE
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
PC28F512G18AE, PC28F512G18AE Datenblatt (Total Pages: 117, Größe: 1.322,66 KB)
PDFPC28F512G18FE Datenblatt Cover
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PC28F512G18AE Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
SerieStrataFlash™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatFLASH
TechnologieFLASH - NOR
Speichergröße512Mb (32M x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite96ns
Zugriffszeit96ns
Spannung - Versorgung1.7V ~ 2V
Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall64-TBGA
Lieferantengerätepaket64-EasyBGA (8x10)

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Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

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Montagetyp

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Asynchronous

Speichergröße

1Mb (128K x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

45ns

Zugriffszeit

45ns

Spannung - Versorgung

2.2V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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32-SOIC

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NAND

Speichergröße

32Gb (4G x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

83MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

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100-VBGA (12x18)

PC28F512M29AWHB TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

100ns

Zugriffszeit

100ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

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