PBSS5130QAZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | PBSS5130QAZ |
| PNEDA Teilenummer | PBSS5130QAZ |
| Beschreibung | TRANS PNP 30V 1A DFN1010D-3 |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 87.186 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PBSS5130QAZ Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PBSS5130QAZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
| Datenblatt |
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PBSS5130QAZ Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 130 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 325mW |
| Frequenz - Übergang | 170MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-XDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | DFN1010D-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 220mV @ 100mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V Leistung - max 225mW Frequenz - Übergang 350MHz Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket SC-89-3 |
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