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PBSS5112PAP,115

PBSS5112PAP,115

Nur als Referenz

Teilenummer PBSS5112PAP,115
PNEDA Teilenummer PBSS5112PAP-115
Beschreibung TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
Hersteller Nexperia
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Auf Lager 7.794
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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PBSS5112PAP Ressourcen

Marke Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPBSS5112PAP,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
PBSS5112PAP, PBSS5112PAP Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 746,8 KB)
PDFPBSS5112PAP Datenblatt Cover
PBSS5112PAP Datenblatt Seite 2 PBSS5112PAP Datenblatt Seite 3 PBSS5112PAP Datenblatt Seite 4 PBSS5112PAP Datenblatt Seite 5 PBSS5112PAP Datenblatt Seite 6 PBSS5112PAP Datenblatt Seite 7 PBSS5112PAP Datenblatt Seite 8 PBSS5112PAP Datenblatt Seite 9 PBSS5112PAP Datenblatt Seite 10 PBSS5112PAP Datenblatt Seite 11

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PBSS5112PAP Technische Daten

HerstellerNexperia USA Inc.
Serie-
Transistortyp2 PNP (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)120V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic480mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 500mA, 2V
Leistung - max510mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-UDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket6-HUSON-EP (2x2)

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Hersteller

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-20°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

CMLT8099 TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 10mA, 100mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

150MHz

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

PBSS4160DSH

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

870mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 5V

Leistung - max

290mW

Frequenz - Übergang

220MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

FFB2227A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 30mA, 300mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

30nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

250MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88 (SC-70-6)

DMMT5551-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual) Matched Pair

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

160V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Leistung - max

300mW

Frequenz - Übergang

300MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

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