PBSS4260PAN,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | PBSS4260PAN,115 |
| PNEDA Teilenummer | PBSS4260PAN-115 |
| Beschreibung | TRANS 2NPN 60V 2A 6HUSON |
| Hersteller | Nexperia |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.130 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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PBSS4260PAN Ressourcen
| Marke | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | PBSS4260PAN,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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PBSS4260PAN Technische Daten
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 2A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 90mV @ 50mA, 500mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1A, 2V |
| Leistung - max | 510mW |
| Frequenz - Übergang | 140MHz |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-HUSON-EP (2x2) |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 100µA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 10nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V Leistung - max 600mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-78-6 |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A, 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V Leistung - max 400mW Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket VS-6 (2.9x2.8) |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 240mW Frequenz - Übergang 300MHz, 250MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-666 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp 4 NPN Darlington (Quad) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.75A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 80V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 2.25mA, 1.5A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Leistung - max 1W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -20°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 16-PowerDIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 16-PowerDIP (20x7.10) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN, PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 300MHz, 250MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
