NVMFS5C646NLAFT3G
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| Teilenummer | NVMFS5C646NLAFT3G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFS5C646NLAFT3G |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 20A 93A 5DFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.112 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 3 - Mai 8 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFS5C646NLAFT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFS5C646NLAFT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
NVMFS5C646NLAFT3G, NVMFS5C646NLAFT3G Datenblatt
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NVMFS5C646NLAFT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Ta), 93A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.7nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2164pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.7W (Ta), 79W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
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Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 6.1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11.3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1128pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SOIC Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 45V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.6A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 190mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 320mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TUMT3 Paket / Fall 3-SMD, Flat Leads |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 223nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9100pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 450W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket MAX247™ Paket / Fall TO-247-3 |
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