NVMFD5877NLT3G
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| Teilenummer | NVMFD5877NLT3G |
| PNEDA Teilenummer | NVMFD5877NLT3G |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.536 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 9 - Apr 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NVMFD5877NLT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVMFD5877NLT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NVMFD5877NLT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
| Leistung - max | 3.2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 12V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 21mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 900mV @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 830mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
