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NVMFD5873NLWFT1G

NVMFD5873NLWFT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NVMFD5873NLWFT1G
PNEDA Teilenummer NVMFD5873NLWFT1G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.028
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NVMFD5873NLWFT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMFD5873NLWFT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NVMFD5873NLWFT1G, NVMFD5873NLWFT1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 76,99 KB)
PDFNVMFD5873NLWFT1G Datenblatt Cover
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NVMFD5873NLWFT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1560pF @ 25V
Leistung - max3.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

32A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

393pF @ 15V

Leistung - max

900mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

PowerDI3333-8

NDC7001C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

510mA, 340mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

SISF02DN-T1-GE3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30.5A (Ta), 60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2650pF @ 10V

Leistung - max

5.2W (Ta), 69.4W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8SCD

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8SCD

IRFH4257DTRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1321pF @ 13V

Leistung - max

25W, 28W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

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VBH40-05B

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Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

4 N-Channel (H-Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

116mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

270nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

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