Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NVMFD5485NLWFT1G

NVMFD5485NLWFT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NVMFD5485NLWFT1G
PNEDA Teilenummer NVMFD5485NLWFT1G
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
Hersteller ON Semiconductor
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 5.202
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 2 - Feb 7 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NVMFD5485NLWFT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNVMFD5485NLWFT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NVMFD5485NLWFT1G, NVMFD5485NLWFT1G Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 134,27 KB)
PDFNVMFD5485NLWFT1G Datenblatt Cover
NVMFD5485NLWFT1G Datenblatt Seite 2 NVMFD5485NLWFT1G Datenblatt Seite 3 NVMFD5485NLWFT1G Datenblatt Seite 4 NVMFD5485NLWFT1G Datenblatt Seite 5 NVMFD5485NLWFT1G Datenblatt Seite 6 NVMFD5485NLWFT1G Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • NVMFD5485NLWFT1G Datasheet
  • where to find NVMFD5485NLWFT1G
  • ON Semiconductor

  • ON Semiconductor NVMFD5485NLWFT1G
  • NVMFD5485NLWFT1G PDF Datasheet
  • NVMFD5485NLWFT1G Stock

  • NVMFD5485NLWFT1G Pinout
  • Datasheet NVMFD5485NLWFT1G
  • NVMFD5485NLWFT1G Supplier

  • ON Semiconductor Distributor
  • NVMFD5485NLWFT1G Price
  • NVMFD5485NLWFT1G Distributor

NVMFD5485NLWFT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs44mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds560pF @ 25V
Leistung - max2.9W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-PowerTDFN
Lieferantengerätepaket8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SSM6N39TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

119mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 10V

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

UF6

SSM6N58NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 1.8V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

84mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

129pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

6-UDFN (2x2)

CSD88539NDT

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

15A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.6V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.4nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

741pF @ 30V

Leistung - max

2.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

FDS8958

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

789pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

FDS8962C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

575pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Kürzlich verkauft

P6KE150A

P6KE150A

Taiwan Semiconductor Corporation

TVS DIODE 128V 207V DO15

HSMF-C165

HSMF-C165

Broadcom

LED GREEN/RED DIFFUSED 0603 SMD

PC28F00BM29EWHA

PC28F00BM29EWHA

Micron Technology Inc.

IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

ES2D

ES2D

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

ULN2804A

ULN2804A

STMicroelectronics

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

ADSP-BF514BBCZ4F16

ADSP-BF514BBCZ4F16

Analog Devices

IC DSP 16/32B 400MHZ 168CSBGA

CY2309SXI-1H

CY2309SXI-1H

Cypress Semiconductor

IC CLK ZDB 9OUT 133MHZ 16SOIC

BK/HTB-42I-R

BK/HTB-42I-R

Eaton - Electronics Division

FUSE HLDR CART 250V 20A PNL MNT

74VHC125TTR

74VHC125TTR

STMicroelectronics

IC BUF NON-INVERT 5.5V 14TSSOP

1N4148WS-7-F

1N4148WS-7-F

Diodes Incorporated

DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD323

EN6347QI

EN6347QI

Intel

DC DC CONVERTER 0.6-6.24V

BAT46WJ,115

BAT46WJ,115

Nexperia

DIODE SCHOTTKY 100V 250MA SOD323