NVD6820NLT4G-VF01
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| Teilenummer | NVD6820NLT4G-VF01 |
| PNEDA Teilenummer | NVD6820NLT4G-VF01 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 90V 50A DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.508 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NVD6820NLT4G-VF01 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVD6820NLT4G-VF01 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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NVD6820NLT4G-VF01 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 90V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 10A (Ta), 50A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.7mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4209pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 4W (Ta), 100W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVII-H FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 9A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.5nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Ta), 15W (Tc) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-TSON Advance (3.3x3.3) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
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