NVD5867NLT4G-TB01
Nur als Referenz
| Teilenummer | NVD5867NLT4G-TB01 |
| PNEDA Teilenummer | NVD5867NLT4G-TB01 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 60V 22A DPAK DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.452 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NVD5867NLT4G-TB01 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NVD5867NLT4G-TB01 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
NVD5867NLT4G-TB01, NVD5867NLT4G-TB01 Datenblatt
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NVD5867NLT4G-TB01 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Ta), 22A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 675pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.3W (Ta), 43W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK-3 |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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