NTMYS4D6N04CLTWG
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| Teilenummer | NTMYS4D6N04CLTWG |
| PNEDA Teilenummer | NTMYS4D6N04CLTWG |
| Beschreibung | T6 40V LL LFPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.254 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NTMYS4D6N04CLTWG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTMYS4D6N04CLTWG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
NTMYS4D6N04CLTWG, NTMYS4D6N04CLTWG Datenblatt
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NTMYS4D6N04CLTWG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 21A (Ta), 78A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 40µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 50W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | LFPAK4 (5x6) |
| Paket / Fall | SOT-1023, 4-LFPAK |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 120A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 199nC @ 10V Vgs (Max) ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11334pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 263W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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