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NTJD4158CT1G

NTJD4158CT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NTJD4158CT1G
PNEDA Teilenummer NTJD4158CT1G
Beschreibung MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT-363
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 1.850.268
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NTJD4158CT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNTJD4158CT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
NTJD4158CT1G, NTJD4158CT1G Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 142,1 KB)
PDFNTJD4158CT2G Datenblatt Cover
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NTJD4158CT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V, 20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.250mA, 880mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds33pF @ 5V
Leistung - max270mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSC-88/SC70-6/SOT-363

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.6nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

945pF @ 20V

Leistung - max

1.42W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Hersteller

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 15V

Leistung - max

15.6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerVDFN

Lieferantengerätepaket

8-VSON (3.3x3.3)

QS8M31TR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta), 2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3A, 10V, 210mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA, 3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC, 7.2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF, 750pF @ 10V

Leistung - max

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

TSMT8

DMG8601UFG-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.05V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V

Leistung - max

920mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerUDFN

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

305mA, 190mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 25V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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