NTD5C668NLT4G
Nur als Referenz
| Teilenummer | NTD5C668NLT4G |
| PNEDA Teilenummer | NTD5C668NLT4G |
| Beschreibung | T6 60V LL DPAK |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.372 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 26 - Mai 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NTD5C668NLT4G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NTD5C668NLT4G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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NTD5C668NLT4G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| FET-Funktion | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15A (Ta), 48A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK (SINGLE GAUGE) |
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Hersteller Sanken Serie - FET-Typ 5 N-Channel, Common Source FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 3A, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 10V Leistung - max 5W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 12-SIP Lieferantengerätepaket 12-SIP w/fin |
