NST30010MXV6T1G
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| Teilenummer | NST30010MXV6T1G |
| PNEDA Teilenummer | NST30010MXV6T1G |
| Beschreibung | TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT563 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 27.798 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 9 - Apr 14 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NST30010MXV6T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NST30010MXV6T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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NST30010MXV6T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 PNP (Dual) Matched Pair |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 15nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA, 5V |
| Leistung - max | 500mW |
| Frequenz - Übergang | 100MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 350mV @ 100µA, 1mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 2nA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V Leistung - max 1.5W Frequenz - Übergang 60MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-78-6 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-78-6 |
