NSS60101DMTTBG
Nur als Referenz
| Teilenummer | NSS60101DMTTBG |
| PNEDA Teilenummer | NSS60101DMTTBG |
| Beschreibung | TRANS NPN DUAL 60V 1A 6WDFN |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.624 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 22 - Feb 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSS60101DMTTBG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSS60101DMTTBG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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NSS60101DMTTBG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 1A |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 60V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 180mV @ 100mA, 1A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
| Leistung - max | 2.27W |
| Frequenz - Übergang | 180MHz |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-WDFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 6-WDFN (2x2) |
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Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA, 10V Leistung - max 125mW Frequenz - Übergang 150MHz Betriebstemperatur 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-963 Lieferantengerätepaket SSSMini6-F1 |
