NRVUS230VT3G
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| Teilenummer | NRVUS230VT3G |
| PNEDA Teilenummer | NRVUS230VT3G |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 300V 2A SMB |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.434 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 25 - Apr 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NRVUS230VT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NRVUS230VT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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NRVUS230VT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 2A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 5µA @ 300V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AA, SMB |
| Lieferantengerätepaket | SMB |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -65°C ~ 175°C |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie SBR® Diodentyp Super Barrier Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 12A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 480mV @ 12A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 45V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 800V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2.1V @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 40ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 800V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack Lieferantengerätepaket TO-220NFM Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 40V Current - Average Rectified (Io) 750mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 490mV @ 750mA Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 10ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 30V Kapazität @ Vr, F. 175pF @ 0V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 125°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie TMBS® Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 20A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 500µA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket ITO-220AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -40°C ~ 150°C |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 100V Current - Average Rectified (Io) 40A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 125A Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 9mA @ 100V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall DO-203AB, DO-5, Stud Lieferantengerätepaket DO-203AB Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 190°C |
