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NP8P128AE3T1760E

NP8P128AE3T1760E

Nur als Referenz

Teilenummer NP8P128AE3T1760E
PNEDA Teilenummer NP8P128AE3T1760E
Beschreibung IC PCM 128M PARALLEL 64EASYBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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NP8P128AE3T1760E Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNP8P128AE3T1760E
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
NP8P128AE3T1760E, NP8P128AE3T1760E Datenblatt (Total Pages: 86, Größe: 2.598,83 KB)
PDFNP8P128AE3T1760E Datenblatt Cover
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NP8P128AE3T1760E Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
SerieOmneo™
SpeichertypNon-Volatile
SpeicherformatPCM (PRAM)
TechnologiePCM (PRAM)
Speichergröße128Mb (16M x 8)
SpeicherschnittstelleParallel, SPI
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite135ns
Zugriffszeit135ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-30°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall64-TBGA
Lieferantengerätepaket64-EasyBGA (8x10)

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Speichertyp

Volatile

Speicherformat

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Technologie

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Speichergröße

72Kb (8K x 9)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

15ns

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Synchronous, QDR II+

Speichergröße

18Mb (512K x 36)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

450MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR

Speichergröße

2Gb (64M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

200MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

5.0ns

Spannung - Versorgung

1.7V ~ 1.95V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

90-VFBGA

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W631GG6MB15I

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Hersteller

Winbond Electronics

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - DDR3

Speichergröße

1Gb (64M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

667MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.425V ~ 1.575V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

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S99MS02G10019

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Hersteller

SkyHigh Memory Limited

Serie

*

Speichertyp

-

Speicherformat

-

Technologie

-

Speichergröße

-

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

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