NGTG30N60FWG
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| Teilenummer | NGTG30N60FWG |
| PNEDA Teilenummer | NGTG30N60FWG |
| Beschreibung | IGBT 600V 60A 167W TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.698 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NGTG30N60FWG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTG30N60FWG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTG30N60FWG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 167W |
| Schaltenergie | 650µJ (on), 650µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 170nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 81ns/190ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
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Hersteller STMicroelectronics Serie M IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 120A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 225A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 468W Schaltenergie 690µJ (on), 2.54mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 225nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 47ns/125ns Testbedingung 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 165ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads |
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