NGTD20T120F2WP
Nur als Referenz
Teilenummer | NGTD20T120F2WP |
PNEDA Teilenummer | NGTD20T120F2WP |
Beschreibung | IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 6.750 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 25 - Nov 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
NGTD20T120F2WP Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NGTD20T120F2WP |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- NGTD20T120F2WP Datasheet
- where to find NGTD20T120F2WP
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NGTD20T120F2WP
- NGTD20T120F2WP PDF Datasheet
- NGTD20T120F2WP Stock
- NGTD20T120F2WP Pinout
- Datasheet NGTD20T120F2WP
- NGTD20T120F2WP Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NGTD20T120F2WP Price
- NGTD20T120F2WP Distributor
NGTD20T120F2WP Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 100A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 20A |
Leistung - max | - |
Schaltenergie | - |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | - |
Td (ein / aus) bei 25 ° C. | - |
Testbedingung | - |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Lieferantengerätepaket | Die |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 198A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 250A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A Leistung - max 833W Schaltenergie 605µJ (on), 895µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 30ns/90ns Testbedingung 400V, 65A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-264-3, TO-264AA Lieferantengerätepaket - |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 140A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A Leistung - max 455W Schaltenergie 2.5mJ (on), 2.2mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 210nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 50ns/200ns Testbedingung 400V, 75A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 170ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 73A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 120A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 40A Leistung - max 272W Schaltenergie 1.05mJ (on), 1.03mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 48nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 37ns/112ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247N |
IXYS Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 300A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max 200W Schaltenergie 380µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 138nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/115ns Testbedingung 480V, 40A, 2Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall ISOPLUS247™ Lieferantengerätepaket ISOPLUS247™ |
Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 14A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 18A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 8A Leistung - max 38W Schaltenergie 140µJ (on), 2.58mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 15nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 25ns/630ns Testbedingung 480V, 8A, 100Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |