NGTB75N60FL2WG
Nur als Referenz
| Teilenummer | NGTB75N60FL2WG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB75N60FL2WG |
| Beschreibung | IGBT 600V 75A TO247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.492 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NGTB75N60FL2WG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB75N60FL2WG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB75N60FL2WG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 200A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Leistung - max | 595W |
| Schaltenergie | 1.5mJ (on), 1mJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 310nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 110ns/270ns |
| Testbedingung | 400V, 75A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 22A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 44A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 66W Schaltenergie 190µJ (on), 920µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 27nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 26ns/194ns Testbedingung 480V, 12A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket D-Pak |
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Hersteller STMicroelectronics Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A Leistung - max 283W Schaltenergie 456µJ (on), 411µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 226nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 52ns/208ns Testbedingung 400V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 41ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 28A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 34A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 8A Leistung - max 167W Schaltenergie 160µJ (on), 160µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 23ns/140ns Testbedingung 400V, 8A, 50Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Microsemi Corporation Serie POWER MOS 7® IGBT-Typ PT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 160A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 40A Leistung - max 543W Schaltenergie 385µJ (on), 352µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/64ns Testbedingung 400V, 40A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 [B] |
