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NGTB45N60S2WG

NGTB45N60S2WG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB45N60S2WG
PNEDA Teilenummer NGTB45N60S2WG
Beschreibung IGBT 45A 600V TO-247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.848
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGTB45N60S2WG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB45N60S2WG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB45N60S2WG, NGTB45N60S2WG Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 80,58 KB)
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NGTB45N60S2WG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)90A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 45A
Leistung - max300W
Schaltenergie360µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge135nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.-/151ns
Testbedingung400V, 45A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)498ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

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IXBX55N300

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

130A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 55A

Leistung - max

625W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

335nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

1.9µs

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

NGTB50N60L2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

800µJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

310nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

110ns/270ns

Testbedingung

400V, 50A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

67ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247

IRGS4064DTRRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

40A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.91V @ 15V, 10A

Leistung - max

101W

Schaltenergie

29µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/79ns

Testbedingung

400V, 10A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

62ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D²PAK

IHW20N120R5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 20A

Leistung - max

288W

Schaltenergie

750µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

170nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/260ns

Testbedingung

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRG7PH50K10DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 35A

Leistung - max

400W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 1.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

300nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

90ns/340ns

Testbedingung

600V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

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