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NGTB30N60FWG

NGTB30N60FWG

Nur als Referenz

Teilenummer NGTB30N60FWG
PNEDA Teilenummer NGTB30N60FWG
Beschreibung IGBT 600V 60A 167W TO247
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.968
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NGTB30N60FWG Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNGTB30N60FWG
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
NGTB30N60FWG, NGTB30N60FWG Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 176,81 KB)
PDFNGTB30N60FWG Datenblatt Cover
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NGTB30N60FWG Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-TypTrench
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 30A
Leistung - max167W
Schaltenergie650µJ (on), 650µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge170nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.81ns/190ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)72ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

IXYS

Serie

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IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

440A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 70A

Leistung - max

695W

Schaltenergie

1.9mJ (on), 2mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

143nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/120ns

Testbedingung

360V, 70A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

140ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-264-3, TO-264AA Variation

Lieferantengerätepaket

TO-264 (IXXK)

IRGP4690DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

140A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Leistung - max

454W

Schaltenergie

2.47mJ (on), 2.16mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

150nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/200ns

Testbedingung

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

155ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

APT50GN60BG

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

107A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 50A

Leistung - max

366W

Schaltenergie

1185µJ (on), 1565µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

325nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/230ns

Testbedingung

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IKW25N120H3FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Leistung - max

326W

Schaltenergie

2.65mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

115nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/277ns

Testbedingung

600V, 25A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

290ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

IRGR4607DPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

11A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Leistung - max

58W

Schaltenergie

140µJ (on), 62µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

9nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/120ns

Testbedingung

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

48ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

D-Pak

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