NGTB25N120SWG
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| Teilenummer | NGTB25N120SWG |
| PNEDA Teilenummer | NGTB25N120SWG |
| Beschreibung | IGBT 25A 1200V TO-247 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.352 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NGTB25N120SWG Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NGTB25N120SWG |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
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NGTB25N120SWG Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 1200V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 100A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 25A |
| Leistung - max | 385W |
| Schaltenergie | 1.95mJ (on), 600µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 178nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 87ns/179ns |
| Testbedingung | 600V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 154ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp - Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 400V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Strom - Kollektor gepulst (Icm) 150A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 8V @ 3V, 100A Leistung - max - Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge - Td (ein / aus) bei 25 ° C. - Testbedingung - Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-ECH |
Hersteller Infineon Technologies Serie TrenchStop® IGBT-Typ Trench Field Stop Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 20A Leistung - max 170W Schaltenergie 690µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 120nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 16ns/194ns Testbedingung 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 112ns Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263AB) |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 20A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 7A Leistung - max 55W Schaltenergie 3.2µJ (on), 15mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 29nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 570ns/- Testbedingung 960V, 7A, 1kOhm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK |
Hersteller IXYS Serie XPT™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 100A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.8V @ 15V, 16A Leistung - max 310W Schaltenergie 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 56nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 11ns/140ns Testbedingung 850V, 16A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 150ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 (IXYH) |
