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NE94433-T1B

NE94433-T1B

Nur als Referenz

Teilenummer NE94433-T1B
PNEDA Teilenummer NE94433-T1B
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT23
Hersteller CEL
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Auf Lager 3.544
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE94433-T1B Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE94433-T1B
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE94433-T1B, NE94433-T1B Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 58,28 KB)
PDFNE94433-T1B-A Datenblatt Cover
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NE94433-T1B Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang2GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 5mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

11dB ~ 15.5dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.5dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 80mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 15mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

55GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz

Gewinn

10dB ~ 24dB

Leistung - max

136mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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