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NE85634-T1-A

NE85634-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE85634-T1-A
PNEDA Teilenummer NE85634-T1-A
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89
Hersteller CEL
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Auf Lager 7.308
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE85634-T1-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE85634-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE85634-T1-A, NE85634-T1-A Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 1.645,96 KB)
PDFNE85634-T1-RF-A Datenblatt Cover
NE85634-T1-RF-A Datenblatt Seite 2 NE85634-T1-RF-A Datenblatt Seite 3 NE85634-T1-RF-A Datenblatt Seite 4 NE85634-T1-RF-A Datenblatt Seite 5 NE85634-T1-RF-A Datenblatt Seite 6 NE85634-T1-RF-A Datenblatt Seite 7

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NE85634-T1-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang6.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1GHz
Gewinn9dB
Leistung - max2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89

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Hersteller

CEL

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SC-70-3

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB

Leistung - max

233W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 10A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M174

Lieferantengerätepaket

M174

Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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TO-236AB (SOT23)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-343

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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