NE685M13-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | NE685M13-A |
| PNEDA Teilenummer | NE685M13-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 6V 12GHZ M13 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.460 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 24 - Mär 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NE685M13-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NE685M13-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NE685M13-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 6V |
| Frequenz - Übergang | 12GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 140mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 75 @ 10mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-3 |
| Lieferantengerätepaket | M13 |
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Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 110mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD (200 mil BeO) Lieferantengerätepaket - |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 7dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 450MHz Gewinn 25dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-72 |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz Gewinn 9dB ~ 15.5dB Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70-3 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz Gewinn - Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
