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NE681M03-T1-A

NE681M03-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE681M03-T1-A
PNEDA Teilenummer NE681M03-T1-A
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 7GHZ M03
Hersteller CEL
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Auf Lager 8.442
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE681M03-T1-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE681M03-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE681M03-T1-A, NE681M03-T1-A Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 142,16 KB)
PDFNE681M03-T1-A Datenblatt Cover
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NE681M03-T1-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max125mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 7mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-623F
LieferantengerätepaketM03

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V, 10V

Frequenz - Übergang

22GHz, 9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Gewinn

14.5dB

Leistung - max

200mW, 250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

130 @ 20mA, 3V / 100 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA, 70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN

Lieferantengerätepaket

TSLP-6-1

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

380mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

MRF544

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

3.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 50mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-39

Lieferantengerätepaket

TO-39

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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