NAND512R3A2CZA6E
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| Teilenummer | NAND512R3A2CZA6E |
| PNEDA Teilenummer | NAND512R3A2CZA6E |
| Beschreibung | IC FLASH 512M PARALLEL 63VFBGA |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.718 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mär 19 - Mär 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NAND512R3A2CZA6E Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NAND512R3A2CZA6E |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
| Datenblatt |
NAND512R3A2CZA6E, NAND512R3A2CZA6E Datenblatt
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NAND512R3A2CZA6E Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH |
| Technologie | FLASH - NAND |
| Speichergröße | 512Mb (64M x 8) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | - |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 50ns |
| Zugriffszeit | 50ns |
| Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-TFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 63-VFBGA (9x11) |
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Hersteller ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat SRAM Technologie SRAM - Asynchronous Speichergröße 1Mb (64K x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 55ns Zugriffszeit 55ns Spannung - Versorgung 2.5V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFBGA Lieferantengerätepaket 48-miniBGA (6x8) |
